2024-07-20 02:06:35
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料,因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中,用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材,直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比,具有沉积速度快,膜质优良,工艺易控等优点成为目前的主流?但是,此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化,生成黑色不规则球状节瘤,本文称此现象为靶材毒化,毒化使溅射速率下降,膜质劣化,迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射,严重影响了镀膜效率。靶材相对密度对大面积镀膜的影响靶材的相对密度是靶材的实际密度与理论密度之比。甘肃功能性陶瓷靶材价钱
陶瓷靶材是一种重要的溅射靶材,广泛应用于各个领域的薄膜制备和表面处理。作为一种高纯度、高密度的材料,陶瓷靶材具有许多独特的特点和优势。首先,陶瓷靶材具有优异的化学稳定性和热稳定性,能够在高温和复杂的化学环境下保持稳定的性能。这使得陶瓷靶材在各种薄膜制备过程中能够提供稳定的材料源,确保薄膜的质量和性能。其次,陶瓷靶材具有良好的机械性能和热导性能。这使得陶瓷靶材在溅射过程中能够承受高能量的离子轰击和高温的热冲击,不易发生破裂和变形。同时,陶瓷靶材的高热导性能能够有效地散热,保持靶材表面的稳定温度,提高溅射过程的效率和稳定性。此外,陶瓷靶材具有优异的光学性能和电学性能。不同种类的陶瓷靶材具有不同的光学和电学特性,可以根据具体需求选择合适的靶材。例如,氧化物靶材可以用于制备透明导电膜、光学薄膜和光学器件,而金属靶材可以用于制备导电膜和磁性薄膜。陶瓷靶材具有丰富的种类和规格,能够满足不同行业和应用的需求。无论是光学薄膜、电子器件还是太阳能电池,陶瓷靶材都能提供高质量的材料源,帮助客户实现产品的优化和创新。我们公司致力于提供高质量的陶瓷靶材产品,满足客户的需求,推动行业的发展和进步。贵州显示行业陶瓷靶材咨询报价陶瓷靶材的制备工艺难点;
薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术。薄膜晶体管阵列的制作原理,是在真空条件下,利用离子束流去轰击固体,使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上,经过反复多次的“沉积+刻蚀”,一层层(一般为7-12层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体,即用溅射法沉积薄膜的原材料,就被称作溅射靶材。除LCD外,近年来快速发展的OLED面板产业靶材需求增长也十分明显。OLED典型结构是在氧化铟锡(ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料,ITO透明电极作为器件的阳极,钼或者合金材料作为器件的阴极。平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡(ITO)靶材。目前国内单条8.5代线ITO靶材年需求量约40吨,6代线ITO靶材年需求量约20吨。
制备一种同质双层氧化铪减反膜,属于光学薄膜技术领域。本发明在透明或半透明基底上依次沉积高折射率的致密氧化铪层和低折射率的多孔氧化铪层。两层氧化铪的折射率由电子束蒸镀的入射角度控制,厚度根据基底不同而调节。本发明采用电子束蒸镀方法,并且双层减反膜由同种材料制成,制备成本低、效率高。该双层氧化铪减反膜对于可见光范围内的多角度入射光均具有很好的减反增透能力,可用于降低窗板、触屏电极或液晶显示屏等表面的反射,具有广的应用前景。HJT电池靶材有望快速实现国产替代国产靶材厂商有望在HJT电池时代实现靶材上的弯道超车。
透明导电薄膜的种类很多,主要有ITO,TCO,AZO等,其中ITO的性能比较好,ITO具有高透光率,低电阻率。目前ITO的制备方法主要是磁控溅射,要获得高质量的ITO薄膜,制备高密度、高纯度和高均匀性的ITO靶材是关键。高质量的成品ITO溅射靶应具有99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射,获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前ITO靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中采用冷等静压-烧结法,其相对密度能达到99%以上,烧结温度高,保温时间长,制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下,粉末颗粒间放电,产生瞬间高温进行烧结。SPS技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下,保温很短的时间制备高密度的材料。钙钛矿太阳电池在短短数十年间不断刷新转换效率。贵州显示行业陶瓷靶材咨询报价
ITO靶材是将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后经过生产加工成型,再高温气氛烧结形成的黑灰色陶瓷半导体。甘肃功能性陶瓷靶材价钱
ITO陶瓷靶材在磁控溅射过程中,靶材表面受到Ar轰击和被溅射原子再沉积的多重作用而发生复杂的物理化学变化,ITO靶材表面会产生许多小的结瘤,这个现象被称为ITO靶材的毒化现象。靶材结瘤毒化后.靶材的溅射速率降低,孤光放电频率增加,所制备的薄膜电阻增加,透光率降低且均一性变差,此时必须停止溅射,清理靶材表面或更换靶材,这严重降低溅射镀膜效率。目前对于结瘤形成机理尚未有统一定论,如孔伟华研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,认为结瘤是In2O3、分解所致,导电导热性能不好的In2O3又成为热量聚集的中心,使结瘤进一步发展;姚吉升等研究了结瘤物相组成及化学组分,认为结瘤是偏离了化学计量的ITO材料在靶材表面再沉积的结果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制备ITO靶材,研究了SnO2,分布状态对靶材表面结瘤形成速率的影响,认为低溅射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均匀分布是结瘤的主要原因。尽管结瘤机理尚不明确,但毋庸置疑的是,结瘤的产生严重影响ITO陶瓷靶材的溅射性能,因此,对结瘤的形成机理进行深入研究具有重要意义。甘肃功能性陶瓷靶材价钱