广东光伏行业陶瓷靶材厂家 江苏迪纳科精细材料股份供应

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论，广东光伏行业陶瓷靶材厂家,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化，广东光伏行业陶瓷靶材厂家，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，广东光伏行业陶瓷靶材厂家，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。 IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互掺杂得到，是一种透明金属氧化物半导体材料。广东光伏行业陶瓷靶材厂家

从整体上看，ITO在光电综合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的优势或将为靶材带来降本空间。在相关实验中利用AZO靶材和ITO靶材制备了3组实验薄膜（共6份样品）。实验中主要从光学性能和电学性能上对AZO薄膜和ITO薄膜进行了对比。在特定情况下AZO靶材与ITO靶材电学性能差距缩小。根据比较终实验数据来看，AZO薄膜和ITO薄膜的方块电阻以及电阻率随着薄膜的厚度增加而降低，并且随着薄膜厚度的增加，AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。当AZO薄膜厚度为640nm时，方块电阻以及电阻率为32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光学性能优于ITO薄膜。ITO薄膜的光学性能随着厚度的增加明显变差，但是对于AZO薄膜，透射率并没有随着厚度的增加而明显下降，在厚度为395nm时，高透射率光谱范围比较宽，可见光区平均透射率比较高，光学总体性能比较好，可充当透射率要求在85%以上的宽光谱透明导电薄膜的光学器件广东光伏行业陶瓷靶材厂家在反应溅射过程中，靶材表面的溅射通道区域被反应产物覆盖或反应产物被剥离，金属表面重新暴露。

ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结(1600度，通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体。ito薄膜是利用ito材作为原材料，通过磁控溅射把ito气化溅渡到玻璃基板或柔性有机薄膜上ito材主要是在平板显示器中得到广的运用，靶材主用是在半导体中运用广。科技发展的迅速，让电子行业在市场中占据很大的份额，直接影响到了人们的工作和生活ITO溅射靶材是一种由氧化铟锡制成的陶瓷射材料。氧化铟锡(ITO)是氧化铟(In203)和氧化锡(SnO2)的固溶体，通常按重量计90%In203、10%SnO2。铟锡氧化物(ITO)因其导电性和光学透明性而成为应用广的透明导电氧化物之一。铟锡氧化物薄膜常通过气相沉积(PVD)沉积在表面上。

陶瓷靶材的制备工艺烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120℃;配料:将烘干的原料按照相应的化学计量比称量;球磨:将称量好的原料以某种制备方式混料,混料时间为4~12小时,制成均匀浆料;干燥:将制得的均匀浆料烘干;煅烧:将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中,在800~950℃煅烧4~8小时,制成煅烧粉料;球磨:将煅烧后的粉料研磨成细粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;制坯:将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片,将样片放入冷等静压机中,施加200~350MPa的压力,保压60~180s,制成所得陶瓷坯体;烧结:将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中,在1100~1200℃烧结4~6小时;冷却:自然冷却至室温,即制得某种陶瓷靶材.注:提供的温度、时间只当做参考数据.陶瓷靶材的特性要求纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,尤其在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好.ITO靶材是将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后经过生产加工成型，再高温气氛烧结形成的黑灰色陶瓷半导体。

从ITO靶材制备方法来看，制备方法多样，冷等静压优势突出。ITO靶材的制备方法主要有4种，分别为热压法、热等静压法、常温烧结法、冷等静压法。冷等静压法制备ITO靶材优点：1）冷等静压法压力较大，工件受力相对更加均匀，尤其适用于压制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的发展趋势；2）产品的密度相对更高，更加地均匀；3）压粉不需要添加任何润滑剂；4）生产成本低，适合大规模生产。从冷等静压法主要制备流程看：1）制备粉末，选取氧化铟与二氧化锡（纯度99.99%）进行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的纯水进行砂磨。然后进行喷雾干燥，调节喷雾干燥塔参数，喷雾制备不同松装密度的ITO粉末。再将ITO粉末进行筛网筛分，获得合格的ITO粉末；2）制备素胚，将ITO粉末装入橡胶模具中振实，密封投料口，进行冷等静压，得到靶材素坯；3）结烧，将素坯放置于常压烧结炉中，保温温度为1450—1600℃，采用多个阶段保温烧结，烧结过程中通入氧气。超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射工艺属于PVD技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一。吉林AZO陶瓷靶材推荐厂家

如何制成良好的陶瓷靶材也是需要注意的地方。广东光伏行业陶瓷靶材厂家

氧化锌(ZnO)属于第三代半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV，其激子束缚能高达60mev，比室温热离化能(26mev)大得多。第三代半导体材料是指宽禁带半导体材料，它们的发光波长短(近紫外)，具有耐高温、抗辐照、制备方法多、毒性小等特点。自1997 年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来，ZnO薄膜的制备技术及其光电特性成为人们研究的热点。ZnO薄膜可以在低于500C的温度下生长,比ZnSe和GaN的生长温度低得多。ZnO作为一种新型的光电材料在光波导、半导体紫外激光器、发光器件，透明电极等方面应用大面积。Zno 也是一种十分有用的压电薄膜材料，高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO薄膜具有良好的压电性质，能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器，在光电通信领域得到大面积的应用。广东光伏行业陶瓷靶材厂家

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